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FDD6N50TM-WS
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Date Sheet
在庫數 6000
- 1+： $1.69346
- 10+： $1.59760
- 100+： $1.50717
- 500+： $1.42186
- 1000+： $1.34138
小計金額 $1.69346
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：89W Tc
- Turn Off Delay Time：25 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：UniFET™
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Resistance：900mOhm
- Base Part Number：FDD6N50
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：89W
- Turn On Delay Time：6 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：900m Ω @ 3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：9400pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16.6nC @ 10V
- Rise Time：55ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：35 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6A
- Threshold Voltage：5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6A
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 6000
- 1+： $1.69346
- 10+： $1.59760
- 100+： $1.50717
- 500+： $1.42186
- 1000+： $1.34138
小計金額 $1.69346
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