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画像はあくまで参考です。
STD20NF10T4
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp
Date Sheet
在庫數 12
- 1+： $1.42601
- 10+： $1.34529
- 100+： $1.26914
- 500+： $1.19730
- 1000+： $1.12953
小計金額 $1.42601
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：85W Tc
- Turn Off Delay Time：45 ns
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：25A Tc
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ II
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STD20N
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：85W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：45m Ω @ 15A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1200pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：55nC @ 10V
- Rise Time：40ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：25A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：20A
- Drain-source On Resistance-Max：0.045Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：100A
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 12
- 1+： $1.42601
- 10+： $1.34529
- 100+： $1.26914
- 500+： $1.19730
- 1000+： $1.12953
小計金額 $1.42601
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