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画像はあくまで参考です。
FDPF18N20FT-G
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N CH 200V 18A TO220F
Date Sheet
在庫數 15000
- 1+： $1.14756
- 10+： $1.08260
- 100+： $1.02132
- 500+： $0.96351
- 1000+： $0.90897
小計金額 $1.14756
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：35W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：16 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：140m Ω @ 9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1180pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：26nC @ 10V
- Rise Time：50ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：200V
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：40 ns
- Continuous Drain Current (ID)：18A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：72A
- DS Breakdown Voltage-Min：200V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 15000
- 1+： $1.14756
- 10+： $1.08260
- 100+： $1.02132
- 500+： $0.96351
- 1000+： $0.90897
小計金額 $1.14756
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