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画像はあくまで参考です。
RCX080N25
-
ROHM Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 250V 8A TO220
Date Sheet
在庫數 79999
- 1+： $1.66859
- 10+： $1.57414
- 100+： $1.48504
- 500+： $1.40098
- 1000+： $1.32168
小計金額 $1.66859
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.23W Ta 35W Tc
- Turn Off Delay Time：28 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 1mA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2013
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Number of Channels：1
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：22 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：600m Ω @ 4A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：840pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15nC @ 10V
- Rise Time：28ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：14 ns
- Continuous Drain Current (ID)：8A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：8A
- Drain-source On Resistance-Max：0.6Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：250V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：32A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：4.66 mJ
- REACH SVHC：not_compliant
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 79999
- 1+： $1.66859
- 10+： $1.57414
- 100+： $1.48504
- 500+： $1.40098
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小計金額 $1.66859
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