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画像はあくまで参考です。
FDD050N03B
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
Date Sheet
在庫數 5320
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：50A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：65W Tc
- Turn Off Delay Time：30 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2004
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：65W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：14.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：5m Ω @ 25A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2875pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：43nC @ 10V
- Rise Time：4.5ns
- Vgs (Max)：±16V
- Fall Time (Typ)：4.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：90A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：50A
- Drain-source On Resistance-Max：0.005Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：72 mJ
- Height：2.39mm
- Length：6.73mm
- Width：6.22mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 5320
小計金額 $0.00000
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