日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FCPF190N60-F152
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
Date Sheet
在庫數 897
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.565008g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：39W Tc
- Turn Off Delay Time：64 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperFET® II
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：199m Ω @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2950pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：74nC @ 10V
- Rise Time：10ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20.2A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：60.6A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 897
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
