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STB34N65M5
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Date Sheet
在庫數 28200
- 1+： $7.46056
- 10+： $7.03826
- 100+： $6.63987
- 500+： $6.26403
- 1000+： $5.90946
小計金額 $7.46056
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：59 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：MDmesh™ V
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：110MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STB34N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：190W
- Turn On Delay Time：59 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：110m Ω @ 14A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2700pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：62.5nC @ 10V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：28A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Height：4.6mm
- Length：10.4mm
- Width：9.35mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 28200
- 1+： $7.46056
- 10+： $7.03826
- 100+： $6.63987
- 500+： $6.26403
- 1000+： $5.90946
小計金額 $7.46056
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