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画像はあくまで参考です。
STB36NM60ND
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Date Sheet
在庫數 2000
- 1+： $6.62818
- 10+： $6.25300
- 100+： $5.89906
- 500+： $5.56515
- 1000+： $5.25014
小計金額 $6.62818
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：29A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：111 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：110mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STB36N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：190W
- Turn On Delay Time：30 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：110m Ω @ 14.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2785pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：80.4nC @ 10V
- Rise Time：53.4ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：61.8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：29A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Height：4.6mm
- Length：10.4mm
- Width：9.35mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2000
- 1+： $6.62818
- 10+： $6.25300
- 100+： $5.89906
- 500+： $5.56515
- 1000+： $5.25014
小計金額 $6.62818
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