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STB76NF80
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-Ch 80 V .0095 ohm 80 A STripFET II
Date Sheet
在庫數 4000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：66 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：STripFET™ II
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：9.5mOhm
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STB76N
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：25 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：11m Ω @ 40A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3700pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：160nC @ 10V
- Rise Time：100ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：30 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：80V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：700 mJ
- Nominal Vgs：3 V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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