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画像はあくまで参考です。
FDB0260N1007L
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0260N1007L MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 VNew
Date Sheet
在庫數 20000
- 1+： $16.29151
- 10+： $15.36935
- 100+： $14.49938
- 500+： $13.67866
- 1000+： $12.90440
小計金額 $16.29151
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- Number of Pins：7
- Weight：1.312g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：200A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：3.8W Ta 250W Tc
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Element Configuration：Single
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.6m Ω @ 27A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：8545pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：118nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：200A
- Threshold Voltage：2.8V
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 20000
- 1+： $16.29151
- 10+： $15.36935
- 100+： $14.49938
- 500+： $13.67866
- 1000+： $12.90440
小計金額 $16.29151
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