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画像はあくまで参考です。
FDB3652-F085
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Date Sheet
在庫數 23977
- 1+： $1.81310
- 10+： $1.71047
- 100+： $1.61365
- 500+： $1.52232
- 1000+： $1.43615
小計金額 $1.81310
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Weight：1.31247g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A Ta 61A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Turn Off Delay Time：26 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Not For New Designs
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：150W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：16m Ω @ 61A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2880pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：53nC @ 10V
- Rise Time：85ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：45 ns
- Continuous Drain Current (ID)：61A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：9A
- Drain-source On Resistance-Max：0.016Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：182 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 23977
- 1+： $1.81310
- 10+： $1.71047
- 100+： $1.61365
- 500+： $1.52232
- 1000+： $1.43615
小計金額 $1.81310
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