日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDS4435A
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
Date Sheet
在庫數 10200
- 1+： $1.72850
- 10+： $1.63066
- 100+： $1.53836
- 500+： $1.45128
- 1000+： $1.36913
小計金額 $1.72850
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：100 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：1999
- JESD-609 Code：e4
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- Termination：SMD/SMT
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：17mOhm
- Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Voltage - Rated DC：-30V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-9A
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：17m Ω @ 9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2010pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：30nC @ 5V
- Rise Time：15ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：55 ns
- Continuous Drain Current (ID)：9A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：9A
- Drain to Source Breakdown Voltage：-30V
- Dual Supply Voltage：-30V
- Nominal Vgs：-1.7 V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 10200
- 1+： $1.72850
- 10+： $1.63066
- 100+： $1.53836
- 500+： $1.45128
- 1000+： $1.36913
小計金額 $1.72850
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
