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画像はあくまで参考です。
FQB7N65CTM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Date Sheet
在庫數 9255
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：2
- Supplier Device Package：D2PAK (TO-263AB)
- Power Dissipation (Max)：173W Tc
- Turn Off Delay Time：90 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Series：QFET®
- Published：2006
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：650V
- Current Rating：7A
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：173W
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.4Ohm @ 3.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1245pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：36nC @ 10V
- Rise Time：50ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：650V
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：55 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Input Capacitance：1.245nF
- Drain to Source Resistance：1.4Ohm
- Rds On Max：1.4 Ω
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 9255
小計金額 $0.00000
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