STB8NM60T4

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Date Sheet

在庫數 2000

1+： $3.85739
10+： $3.63905
100+： $3.43307
500+： $3.23874
1000+： $3.05542

小計金額 $3.85739

仕様よくある質問

Factory Lead Time：17 Weeks
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins：3
Transistor Element Material：SILICON
Turn Off Delay Time：23 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：100W Tc
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：MDmesh™
JESD-609 Code：e3
Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：2
ECCN Code：EAR99
Resistance：1Ohm
Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
Voltage - Rated DC：650V
Terminal Form：GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)：245
Current Rating：5A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
Base Part Number：STB8N
JESD-30 Code：R-PSSO-G2
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：100W
Turn On Delay Time：14 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：1 Ω @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：18nC @ 10V
Rise Time：10ns
Vgs (Max)：±30V
Fall Time (Typ)：10 ns
Continuous Drain Current (ID)：8A
Threshold Voltage：4V
Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
Drain Current-Max (Abs) (ID)：8A
Drain to Source Breakdown Voltage：600V
Avalanche Energy Rating (Eas)：200 mJ
Nominal Vgs：4 V
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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10+： $3.63905
100+： $3.43307
500+： $3.23874
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