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FDPF7N50
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F
Date Sheet
在庫數 7513
- 1+： $0.94078
- 10+： $0.88752
- 100+： $0.83729
- 500+： $0.78989
- 1000+： $0.74518
小計金額 $0.94078
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：39W Tc
- Turn Off Delay Time：25 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：MATTE TIN
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：31.3W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：6 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：900m Ω @ 3.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：940pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16.6nC @ 10V
- Rise Time：55ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：35 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：5A
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20A
- RoHS Status：RoHS Compliant
在庫數 7513
- 1+： $0.94078
- 10+： $0.88752
- 100+： $0.83729
- 500+： $0.78989
- 1000+： $0.74518
小計金額 $0.94078
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