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画像はあくまで参考です。
FQPF9N50C
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
Date Sheet
在庫數 36500
- 1+： $1.31411
- 10+： $1.23973
- 100+： $1.16955
- 500+： $1.10335
- 1000+： $1.04090
小計金額 $1.31411
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：44W Tc
- Turn Off Delay Time：93 ns
- Published：2003
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：500V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：9A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：44W
- Case Connection：ISOLATED
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：800m Ω @ 4.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1030pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：35nC @ 10V
- Rise Time：65ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：64 ns
- Continuous Drain Current (ID)：9A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：9A
- Drain-source On Resistance-Max：0.8Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 36500
- 1+： $1.31411
- 10+： $1.23973
- 100+： $1.16955
- 500+： $1.10335
- 1000+： $1.04090
小計金額 $1.31411
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