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NDB6030PL
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans MOSFET P-CH 30V 30A 3-Pin(2 Tab) D2PAK
Date Sheet
在庫數 10978
- 1+： $1.31344
- 10+： $1.23909
- 100+： $1.16895
- 500+： $1.10279
- 1000+： $1.04037
小計金額 $1.31344
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Weight：1.31247g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：75W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Operating Temperature：-65°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：1997
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：25mOhm
- Voltage - Rated DC：-30V
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-30A
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：75W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：12.5 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：25m Ω @ 19A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1570pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：36nC @ 5V
- Rise Time：60ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Vgs (Max)：±16V
- Fall Time (Typ)：52 ns
- Continuous Drain Current (ID)：-30A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：90A
- Height：11.33mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 10978
- 1+： $1.31344
- 10+： $1.23909
- 100+： $1.16895
- 500+： $1.10279
- 1000+： $1.04037
小計金額 $1.31344
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