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画像はあくまで参考です。
FDS2672-F085
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
Date Sheet
在庫數 78000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：230.4mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.9A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：35 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
- JESD-609 Code：e4
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：22 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：70m Ω @ 3.9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2535pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：46nC @ 10V
- Rise Time：10ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.9A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.07Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Feedback Cap-Max (Crss)：45 pF
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 78000
小計金額 $0.00000
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