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画像はあくまで参考です。
FDS6673BZ-F085
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
Date Sheet
在庫數 161688
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：230.4mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：225 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- JESD-609 Code：e4
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：14 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：7.8m Ω @ 14.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4700pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：124nC @ 10V
- Rise Time：16ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：105 ns
- Continuous Drain Current (ID)：14.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-30V
- Feedback Cap-Max (Crss)：900 pF
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 161688
小計金額 $0.00000
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