日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
NDD01N60-1G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O
Date Sheet
在庫數 52388
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：46W Tc
- Turn Off Delay Time：16.5 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8.5 Ω @ 200mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.7V @ 50μA
- Halogen Free：Halogen Free
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：160pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：7.2nC @ 10V
- Rise Time：5.1ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：21.3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：1.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：6A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：13 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 52388
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
