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STW60N65M5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-Ch 650V 0.049 Ohm 46A Mdmesh V
Date Sheet
在庫數 32365
- 1+： $13.14677
- 10+： $12.40261
- 100+： $11.70057
- 500+： $11.03828
- 1000+： $10.41347
小計金額 $13.14677
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：46A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：255W Tc
- Turn Off Delay Time：13 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：59MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Base Part Number：STW60N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：255W
- Turn On Delay Time：90 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：59m Ω @ 23A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：6810pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：139nC @ 10V
- Rise Time：11ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：16 ns
- Continuous Drain Current (ID)：46A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 32365
- 1+： $13.14677
- 10+： $12.40261
- 100+： $11.70057
- 500+： $11.03828
- 1000+： $10.41347
小計金額 $13.14677
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