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STY112N65M5
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3 Tab) Max247 Tube
Date Sheet
在庫數 5000
- 1+： $25.15031
- 10+： $23.72671
- 100+： $22.38368
- 500+： $21.11668
- 1000+： $19.92140
小計金額 $25.15031
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：96A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：625W Tc
- Turn Off Delay Time：53 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：22MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：AVALANCHE ENERGY RATED
- Base Part Number：STY112
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：625W
- Turn On Delay Time：267 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：22m Ω @ 47A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：16870pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：350nC @ 10V
- Rise Time：79ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：650V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：140 ns
- Continuous Drain Current (ID)：96A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：710V
- Height：20.3mm
- Length：5.9mm
- Width：5.3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5000
- 1+： $25.15031
- 10+： $23.72671
- 100+： $22.38368
- 500+： $21.11668
- 1000+： $19.92140
小計金額 $25.15031
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