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画像はあくまで参考です。
STW88N65M5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh V
Date Sheet
在庫數 20000
- 1+： $13.91047
- 10+： $13.12308
- 100+： $12.38026
- 500+： $11.67949
- 1000+： $11.01839
小計金額 $13.91047
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：84A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：450W Tc
- Turn Off Delay Time：141 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：24mOhm
- Base Part Number：STW88N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：450W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：141 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：29m Ω @ 42A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：8825pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：204nC @ 10V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：84A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：2000 mJ
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Nominal Vgs：4 V
- Height：24.45mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 20000
- 1+： $13.91047
- 10+： $13.12308
- 100+： $12.38026
- 500+： $11.67949
- 1000+： $11.01839
小計金額 $13.91047
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