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STD10PF06-1
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET P-Ch 60 Volt 10 Amp
Date Sheet
在庫數 744
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：40W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- Operating Temperature：175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：200mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-60V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：-10A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STD10
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：40W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：200m Ω @ 5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：850pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：21nC @ 10V
- Rise Time：40ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：10A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-60V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：40A
- Height：6.2mm
- Length：6.6mm
- Width：2.4mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 744
小計金額 $0.00000
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