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画像はあくまで参考です。
RFD3055
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Date Sheet
在庫數 2791
- 1+： $0.25570
- 10+： $0.24122
- 100+： $0.22757
- 500+： $0.21469
- 1000+： $0.20254
小計金額 $0.25570
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：53W Tc
- Turn Off Delay Time：16 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Voltage - Rated DC：60V
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：12A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：53W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：150m Ω @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：300pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：23nC @ 20V
- Rise Time：21ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：12A
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：11A
- Drain-source On Resistance-Max：0.107Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2791
- 1+： $0.25570
- 10+： $0.24122
- 100+： $0.22757
- 500+： $0.21469
- 1000+： $0.20254
小計金額 $0.25570
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