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FQU17P06TU
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube
Date Sheet
在庫數 1100
- 1+： $1.37976
- 10+： $1.30166
- 100+： $1.22799
- 500+： $1.15848
- 1000+： $1.09290
小計金額 $1.37976
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Weight：343.08mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 44W Tc
- Turn Off Delay Time：22 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2014
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：135MOhm
- Voltage - Rated DC：-60V
- Current Rating：-12A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：13 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：135m Ω @ 6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：900pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：27nC @ 10V
- Rise Time：100ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：60 ns
- Continuous Drain Current (ID)：-12A
- Threshold Voltage：-4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-60V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：48A
- Height：7.57mm
- Length：6.8mm
- Width：2.5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1100
- 1+： $1.37976
- 10+： $1.30166
- 100+： $1.22799
- 500+： $1.15848
- 1000+： $1.09290
小計金額 $1.37976
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