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FMBM5401
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Bipolar Transistors - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier
Date Sheet
在庫數 3000
- 1+： $0.65145
- 10+： $0.61458
- 100+： $0.57979
- 500+： $0.54697
- 1000+： $0.51601
小計金額 $0.65145
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：150V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-200mV
- Number of Elements：2
- hFEMin：60
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-150V
- Max Power Dissipation：700mW
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-600mA
- Frequency：300MHz
- Base Part Number：FMBM5401
- Element Configuration：Dual
- Power Dissipation：700mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：300MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：150V
- Max Collector Current：600mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：60 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 5mA, 50mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：150V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-160V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Height：1.12mm
- Length：3mm
- Width：1.68mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
- 1+： $0.65145
- 10+： $0.61458
- 100+： $0.57979
- 500+： $0.54697
- 1000+： $0.51601
小計金額 $0.65145
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