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画像はあくまで参考です。
MPSA06RA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- TRANS NPN 80V 0.5A TO-92
Date Sheet
在庫數 201860
- 1+： $0.38521
- 10+： $0.36340
- 100+： $0.34283
- 500+： $0.32343
- 1000+： $0.30512
小計金額 $0.38521
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：201mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2011
- JESD-609 Code：e1
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Voltage - Rated DC：80V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：500mA
- Frequency：100MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：MPSA06
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：100MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 100mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：4V
- Height：5.33mm
- Length：5.2mm
- Width：4.19mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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