日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
KSP06TA
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Date Sheet
在庫數 28000
- 1+： $0.09978
- 10+： $0.09413
- 100+： $0.08880
- 500+： $0.08377
- 1000+： $0.07903
小計金額 $0.09978
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 11 hours ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：50
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：80V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：500mA
- Frequency：100MHz
- Base Part Number：KSP06
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：100MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：50 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 100mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：4V
- Height：4.58mm
- Length：4.58mm
- Width：3.86mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
