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画像はあくまで参考です。
PZTA28
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- TRANS NPN DARL 80V 0.8A SOT223
Date Sheet
在庫數 699999
- 1+： $0.73179
- 10+： $0.69037
- 100+： $0.65129
- 500+： $0.61443
- 1000+： $0.57965
小計金額 $0.73179
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：21 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Number of Pins：3
- Weight：188mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2V
- Number of Elements：1
- hFEMin：10000
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：80V
- Max Power Dissipation：1W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：800mA
- Base Part Number：PZTA28
- JESD-30 Code：R-PDSO-G4
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：800mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：10000 @ 100mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 100μA, 100mA
- Transition Frequency：125MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Frequency - Transition：125MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：12V
- Height：1.6mm
- Length：6.5mm
- Width：3.56mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 699999
- 1+： $0.73179
- 10+： $0.69037
- 100+： $0.65129
- 500+： $0.61443
- 1000+： $0.57965
小計金額 $0.73179
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