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画像はあくまで参考です。
BC557ATA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 50 V, 100 mA PNP Bipolar Junction Epitaxial Silicon Transistor
Date Sheet
在庫數 8485
- 1+： $0.66845
- 10+： $0.63061
- 100+： $0.59492
- 500+： $0.56124
- 1000+： $0.52948
小計金額 $0.66845
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-250mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：110
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-45V
- Max Power Dissipation：500mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：-100mA
- Frequency：150MHz
- Base Part Number：BC557
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：500mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：150MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：110 @ 2mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：15nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
- Transition Frequency：150MHz
- Max Breakdown Voltage：45V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Height：5.33mm
- Length：5.2mm
- Width：4.19mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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