日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
MMBT5962
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
在庫數 3000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
- Factory Lead Time：39 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：200mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：600
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：1997
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：45V
- Max Power Dissipation：350mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：100mA
- Base Part Number：MMBT5962
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：350mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：600 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：2nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：200mV @ 500μA, 10mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：45V
- Collector Base Voltage (VCBO)：45V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：8V
- Height：930μm
- Length：2.9mm
- Width：1.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
