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画像はあくまで参考です。
MJE243G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS NPN 100V 4A TO225AA
Date Sheet
在庫數 23000
- 1+： $0.96647
- 10+： $0.91177
- 100+： $0.86016
- 500+： $0.81147
- 1000+： $0.76554
小計金額 $0.96647
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Surface Mount：NO
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Mounting Type：Through Hole
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- hFEMin：40
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：15W
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：40MHz
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Published：2006
- Packaging：Bulk
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：100V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：4A
- Frequency：40MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.5W
- Transistor Application：SWITCHING
- Halogen Free：Halogen Free
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 200mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：600mV @ 100mA, 1A
- Transition Frequency：40MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- Width：2.9972mm
- Length：7.7978mm
- Height：11.0998mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
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