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画像はあくまで参考です。
MJE182G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3 Tab) TO-225 Box
Date Sheet
在庫數 15000
- 1+： $1.12251
- 10+： $1.05897
- 100+： $0.99903
- 500+： $0.94248
- 1000+： $0.88913
小計金額 $1.12251
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.7V
- Number of Elements：1
- hFEMin：50
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：80V
- Max Power Dissipation：12.5W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：3A
- Frequency：50MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：MJE182
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：12.5W
- Power - Max：1.5W
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：50MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：50 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.7V @ 600mA, 3A
- Transition Frequency：50MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- Height：11.0998mm
- Length：7.7978mm
- Width：2.9972mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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