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FJD5553TM
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN 400V 3A DPAK
Date Sheet
在庫數 101
- 1+： $0.73254
- 10+： $0.69107
- 100+： $0.65196
- 500+： $0.61505
- 1000+： $0.58024
小計金額 $0.73254
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Power Dissipation (Max)：1.25W
- Number of Elements：1
- hFEMin：30
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：FJD5553
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.25W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：400V
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：30 @ 400mA 3V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 200mA, 1A
- Max Breakdown Voltage：400V
- Collector Base Voltage (VCBO)：1.05kV
- Emitter Base Voltage (VEBO)：14V
- Height：2.39mm
- Length：6.73mm
- Width：6.22mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 101
- 1+： $0.73254
- 10+： $0.69107
- 100+： $0.65196
- 500+： $0.61505
- 1000+： $0.58024
小計金額 $0.73254
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