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画像はあくまで参考です。
MJD50TF
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN 400V 1A DPAK
Date Sheet
在庫數 12888
- 1+： $1.50054
- 10+： $1.41560
- 100+： $1.33547
- 500+： $1.25988
- 1000+： $1.18857
小計金額 $1.50054
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LIFETIME (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：30
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2012
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Voltage - Rated DC：400V
- Max Power Dissipation：1.56W
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：1A
- Frequency：10MHz
- Base Part Number：MJD50
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.56W
- Gain Bandwidth Product：10MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：400V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：30 @ 300mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：200μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1V @ 200mA, 1A
- Transition Frequency：10MHz
- Max Breakdown Voltage：400V
- Collector Base Voltage (VCBO)：500V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：2.38mm
- Length：6.73mm
- Width：6.22mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 12888
- 1+： $1.50054
- 10+： $1.41560
- 100+： $1.33547
- 500+： $1.25988
- 1000+： $1.18857
小計金額 $1.50054
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