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画像はあくまで参考です。
MJD210RLG
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS PNP 25V 5A DPAK
Date Sheet
在庫數 85
- 1+： $0.85193
- 10+： $0.80371
- 100+： $0.75822
- 500+： $0.71530
- 1000+： $0.67481
小計金額 $0.85193
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：40V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.8V
- Number of Elements：1
- hFEMin：70
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-25V
- Max Power Dissipation：12.5W
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：-5A
- Frequency：65MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：MJD210
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Polarity：PNP, NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.4W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：65MHz
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：25V
- Max Collector Current：5A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：45 @ 2A 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.8V @ 1A, 5A
- Transition Frequency：65MHz
- Max Breakdown Voltage：25V
- Collector Base Voltage (VCBO)：40V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：8V
- Height：2.38mm
- Length：6.73mm
- Width：6.22mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 85
- 1+： $0.85193
- 10+： $0.80371
- 100+： $0.75822
- 500+： $0.71530
- 1000+： $0.67481
小計金額 $0.85193
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