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画像はあくまで参考です。
TIP3055G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-247-3
- ON SEMICONDUCTOR TIP3055G BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, -60V, TO-247
Date Sheet
在庫數 647
- 1+： $2.59053
- 10+： $2.44389
- 100+： $2.30556
- 500+： $2.17506
- 1000+： $2.05194
小計金額 $2.59053
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：1993
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：60V
- Max Power Dissipation：90W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：15A
- Frequency：2.5MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：90W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：2.5MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：15A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 4A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：700μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：3V @ 3.3A, 10A
- Transition Frequency：2.5MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- Height：20.3454mm
- Length：15.2146mm
- Width：4.9022mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 647
- 1+： $2.59053
- 10+： $2.44389
- 100+： $2.30556
- 500+： $2.17506
- 1000+： $2.05194
小計金額 $2.59053
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