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画像はあくまで参考です。
2N6427
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92
Date Sheet
在庫數 277
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Weight：201mg
- Transistor Element Material：SILICON
- hFEMin：10000
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：40V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2V
- Number of Elements：1
- Published：2004
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：no
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Voltage - Rated DC：40V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Current Rating：1.2A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：2N6427
- Pin Count：3
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：40V
- Max Collector Current：1.2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20000 @ 100mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 500μA, 500mA
- Transition Frequency：130MHz
- Max Breakdown Voltage：40V
- Collector Base Voltage (VCBO)：40V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：12V
- Continuous Collector Current：500mA
- Width：6.35mm
- Height：6.35mm
- Length：6.35mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 277
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