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BULB49DT4
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STMicroelectronics
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：450V
- Power Dissipation (Max)：80W
- Number of Elements：1
- hFEMin：10
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：BULB49
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：80W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：450V
- Max Collector Current：5A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：4 @ 7A 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.2V @ 800mA, 4A
- Collector Base Voltage (VCBO)：850V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：10V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
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