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画像はあくまで参考です。
KSD526YTU
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ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS NPN 80V 4A TO-220
Date Sheet
在庫數 38658
- 1+： $2.05855
- 10+： $1.94203
- 100+： $1.83210
- 500+： $1.72840
- 1000+： $1.63057
小計金額 $2.05855
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：450mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：80V
- Max Power Dissipation：30W
- Current Rating：4A
- Frequency：8MHz
- Base Part Number：KSD526
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：30W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：8MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：120 @ 500mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：30μA ICBO
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 300mA, 3A
- Transition Frequency：8MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：18.95mm
- Length：9.9mm
- Width：4.5mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 38658
- 1+： $2.05855
- 10+： $1.94203
- 100+： $1.83210
- 500+： $1.72840
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