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画像はあくまで参考です。
BD237STU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- Trans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin(3 Tab) TO-126 Rail
Date Sheet
在庫數 4547
- 1+： $0.10955
- 10+： $0.10335
- 100+： $0.09750
- 500+： $0.09198
- 1000+： $0.08677
小計金額 $0.10955
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LIFETIME (Last Updated: 15 hours ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Number of Pins：3
- Weight：761mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：25
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：80V
- Max Power Dissipation：25W
- Current Rating：2A
- Frequency：3MHz
- Base Part Number：BD237
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：25W
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：3MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：25 @ 1A 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100μA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：600mV @ 100mA, 1A
- Transition Frequency：3MHz
- Max Breakdown Voltage：400V
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：11mm
- Length：8mm
- Width：3.25mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 4547
- 1+： $0.10955
- 10+： $0.10335
- 100+： $0.09750
- 500+： $0.09198
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