日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
BSP19AT1G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- Trans GP BJT NPN 350V 0.1A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet
在庫數 1000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：350V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：350V
- Max Power Dissipation：800mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：1A
- Frequency：70MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：BSP19
- Pin Count：4
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：800mW
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：70MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：350V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 20mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：20nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 4mA, 50mA
- Transition Frequency：70MHz
- Max Breakdown Voltage：350V
- Collector Base Voltage (VCBO)：400V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：1.75mm
- Length：6.7mm
- Width：3.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
