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画像はあくまで参考です。
MMBT6515
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Date Sheet
在庫數 122556
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：250
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：25V
- Max Power Dissipation：350mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：500mA
- Base Part Number：MMBT6515
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：350mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：25V
- Max Collector Current：200mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：250 @ 2mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 5mA, 50mA
- Max Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：25V
- Collector Base Voltage (VCBO)：40V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：4V
- Height：930μm
- Length：2.92mm
- Width：1.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 122556
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