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画像はあくまで参考です。
KST13MTF
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
在庫數 200
- 1+： $0.08581
- 10+： $0.08095
- 100+： $0.07637
- 500+： $0.07204
- 1000+： $0.06797
小計金額 $0.08581
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Power Dissipation (Max)：350mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：10000
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Operating Temperature：150°C
- Voltage - Rated DC：30V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：300mA
- Base Part Number：KST13
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：30V
- Max Collector Current：300mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：10000 @ 100mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 100μA, 100mA
- Transition Frequency：125MHz
- Max Breakdown Voltage：30V
- Frequency - Transition：125MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：30V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：10V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 200
- 1+： $0.08581
- 10+： $0.08095
- 100+： $0.07637
- 500+： $0.07204
- 1000+： $0.06797
小計金額 $0.08581
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