日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
MMBTA13
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23
Date Sheet
在庫數 551
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：39 Weeks
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：SOT-23-3
- Weight：30mg
- hFEMin：10000
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Current-Collector (Ic) (Max)：1.2A
- Power Dissipation (Max)：350mW
- Number of Elements：1
- Published：2005
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：30V
- Current Rating：1.2A
- Base Part Number：MMBTA13
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：350mW
- Power - Max：350mW
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：30V
- Max Collector Current：1.2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：10000 @ 100mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 100μA, 100mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：30V
- Max Breakdown Voltage：30V
- Frequency - Transition：125MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：30V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：10V
- Width：1.3mm
- Height：930μm
- Length：2.92mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 551
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
