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画像はあくまで参考です。
SS9012GTA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Bipolar Transistors - BJT PNP/40V/0.5A
Date Sheet
在庫數 1987
- 1+： $0.16675
- 10+： $0.15731
- 100+： $0.14841
- 500+： $0.14001
- 1000+： $0.13208
小計金額 $0.16675
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：20V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-180mV
- Power Dissipation (Max)：625mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：64
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-20V
- Terminal Position：BOTTOM
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：-500mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：SS9012
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：20V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：112 @ 50mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：600mV @ 50mA, 500mA
- Max Breakdown Voltage：20V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-40V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Height：4.58mm
- Length：4.58mm
- Width：3.86mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1987
- 1+： $0.16675
- 10+： $0.15731
- 100+： $0.14841
- 500+： $0.14001
- 1000+： $0.13208
小計金額 $0.16675
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