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画像はあくまで参考です。
BC859BMTF
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP
Date Sheet
在庫數 122556
- 1+： $0.06128
- 10+： $0.05781
- 100+： $0.05453
- 500+： $0.05145
- 1000+： $0.04854
小計金額 $0.06128
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-250mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：110
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：LOW NOISE
- Voltage - Rated DC：-30V
- Max Power Dissipation：310mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：-100mA
- Frequency：150MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：BC859
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：310mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：150MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：30V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：15nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
- Transition Frequency：150MHz
- Max Breakdown Voltage：30V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-30V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 122556
- 1+： $0.06128
- 10+： $0.05781
- 100+： $0.05453
- 500+： $0.05145
- 1000+： $0.04854
小計金額 $0.06128
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