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BC637
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN 60V 1A TO-92
Date Sheet
在庫數 20000
- 1+： $0.12898
- 10+： $0.12167
- 100+： $0.11479
- 500+： $0.10829
- 1000+： $0.10216
小計金額 $0.12898
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：TO-92-3
- Weight：201mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：1A
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：200MHz
- Power Dissipation (Max)：625mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2002
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Termination：Through Hole
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：60V
- Current Rating：1A
- Frequency：100MHz
- Base Part Number：BC637
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1W
- Power - Max：625mW
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 150mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：60V
- Max Breakdown Voltage：60V
- Frequency - Transition：200MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：6.35mm
- Length：6.35mm
- Width：6.35mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 20000
- 1+： $0.12898
- 10+： $0.12167
- 100+： $0.11479
- 500+： $0.10829
- 1000+： $0.10216
小計金額 $0.12898
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