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画像はあくまで参考です。
DCP56-13
-
Diodes Incorporated
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Date Sheet
在庫數 76579
- 1+： $0.37678
- 10+： $0.35546
- 100+： $0.33534
- 500+： $0.31636
- 1000+： $0.29845
小計金額 $0.37678
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：24 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Number of Pins：4
- Weight：7.994566mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：200MHz
- Power Dissipation (Max)：1W
- Number of Elements：1
- hFEMin：25
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Published：1997
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Discontinued
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Frequency：200MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：DCP56
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 150mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：200MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Continuous Collector Current：1A
- Height：1.65mm
- Length：6.7mm
- Width：3.7mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 76579
- 1+： $0.37678
- 10+： $0.35546
- 100+： $0.33534
- 500+： $0.31636
- 1000+： $0.29845
小計金額 $0.37678
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